(1)納電子（zǐ）由2005年Geim研究（jiū）組與Kim研究組的發現顯示：在室溫下，石墨烯的（de）高載流子遷移率是商用矽片的十倍（bèi）左右，同時，它的熱穩定性（xìng）好，摻雜（zá）無負影（yǐng）響，室溫下亞微（wēi）米尺度（dù）的彈道傳輸特性可達0.3 m，這就是納電子器（qì）件（jiàn）采用石墨烯作摻（chān）雜的**憑證，這就使得電工領域將有可（kě）能製成室溫彈道場效應管。此外，石墨烯即使減（jiǎn）小到納米尺度，甚至到單個苯環（huán），它的熱穩定性和電學性能依舊不會有影響，石墨烯在電子方麵的應用指日可待。

(2)計算機研究表明，石墨烯是綜合性能**的導電材（cái）料（liào）。如果能（néng）應用在高頻電路上將（jiāng）一定可行。高頻（pín）電路引領著現代（dài）電子工業（yè）的繼續高速發展。電子設備的發（fā）展（zhǎn）狀況中，通過手（shǒu）機就看到了科技的進步。到目前為止，信息完善程度一直在提高，同時使用頻率也在不斷改（gǎi）進，然而現在就造成了手機發熱（rè）問題。因此，高頻的繼續提升便成了（le）難題。石墨烯的偉大發現，給（gěi）高頻的提升提（tí）供了廣闊無限的空間。它在微電子領域也將發揮著巨大的應用潛（qián）力。不斷的實驗（yàn）研究表明，石墨烯（xī）是一定有可能代替矽，未來的超級計算機的產生將不是個奇跡。

(3)太陽能電池四年前，清華大學（xué）的幾位學者首次將石墨烯覆蓋在傳統的單晶矽（guī）材料上，研究發現其具有優異的光（guāng）電轉換性能。如（rú）此（cǐ）一個（gè）簡易的太陽能電池模型，經過優化提升後光電（diàn）轉換效率可以達到10％以上。石墨烯一矽模型還可以進一步拓展為石墨烯與其他半（bàn）導體材（cái）料的結構。這種（zhǒng）可以將石墨烯與傳（chuán）統材料結合的模型，為（wéi）石墨烯的（de）實（shí）際應用具有重（chóng）要的推動作用。

(4)光子傳感器石（shí）墨烯還能作（zuò）為光子傳（chuán）感器應用在更大的市場上，這（zhè）種傳感器（qì）可以檢測光纖中攜帶的信息，石墨烯代替了矽的角（jiǎo）色，矽的時代似乎就要結束（shù）。2012年10月，IBM的一個研究小組（zǔ）首次披露（lù）了他（tā）們研製的石（shí）墨烯光（guāng）電探測器，接下來就要憧憬的是石墨烯的太陽能電池和液晶顯示（shì）屏了。石墨烯是透明的，用它（tā）製造的電板比其他材料具有更優良的透光性。

(5)基因測序由於石墨烯的厚（hòu）度比DNA鏈中相鄰堿基之間的距離小，DNA四種堿基之間（jiān）存在電子指紋。因此，石墨烯（xī）將可能實現直接（jiē）的、快速的、低成本的基（jī）因電子測序技（jì）術（shù）。

(6)減少噪音美國IBM表示，通過2層（céng）“石墨烯”重疊（dié），成功試製（zhì）了新型晶體管。該晶體管的特有特性就是使納米元件的1／f大幅降低。這是個突破。石（shí）墨烯繼續研製所得的晶體管，與預計並不相符，不能控製噪音。但是，可以通過在石墨烯間層生成的強電子結合，從（cóng）而控製噪音。

(7)隧穿勢壘量子隧穿效應應用領域非常廣泛。包括電子（zǐ）冷發射、超導體物理學等領域（yù）。氧化鎂、鋁等材料是傳統的勢（shì）壘材料，但是它們無論（lùn）是在厚度還是（shì）在電荷等方麵，都不夠完美，因此間（jiān）接對器件的性能和穩定性都造成一定的（de）影響，情況（kuàng）嚴重（chóng）的話將會引起災難性失敗。美國海軍方麵的一個研究室利用石墨烯的綜（zōng）合電（diàn）性能優勢，將其（qí）作為**考慮其（qí）為量子（zǐ）隧穿勢壘材料。根據隧穿晶體管（guǎn）、非揮發（fā）性磁性記憶體和可編程邏輯電路的工業需求，石墨烯將會（huì）成為研究者們的實驗對象。

(8)其（qí）它方麵石墨烯不僅（jǐn）應用於以上（shàng）領域，未（wèi）來在各個方麵（miàn）將都有突破（pò）。在量子物理學方麵的研究領域將取得新（xīn）突破。中國科研（yán）人員研究發現，石墨烯（xī）上不能生長細菌（jun1）細胞，而（ér）人類細胞卻可以。因此，石墨烯可以應用在醫學方（fāng）麵。

例如抗菌T恤、繃帶等。石墨烯能夠（gòu）用來作光（guāng）電化學電池，它取代了金屬的發光二極管（guǎn）。同時，燈具的金屬石（shí）墨電極還可以用石墨烯來代替。石墨烯的未來（lái）發展不可估量，十（shí）年的發展飛速前進，未來將能引領國際高科技的進步和社會的發展。