全球高度信息化（huà）時代（dài）的來臨，也伴隨電子技（jì）術的高速發展。在過去，塊體材料的使用導致（zhì）元件體積龐大，可靠性降低，特別為實現某一功能特性，需要多種材料組合；然而現在應用薄膜材料，僅通過少（shǎo）數組元，陣列或器件組成就能實現所需特性，從而實現電路的（de）高度集成。薄膜技術正是實現（xiàn）器件與（yǔ）係統微型化的最為有效的手段之一。

  元器件（jiàn）向微（wēi）型化發展，原有特性不僅存在，甚至更加強化（huà）。特別是器件（jiàn）在體積上不斷地減少，使電子或其他粒子在微觀尺度內靠近量子化運動，進而獲得薄膜器件的全新物理特性。與此同時，在電子設備與電路係統中，電路與（yǔ）器件的集成（chéng）、兼容最為（wéi）關鍵，高性能和高質量的元器件可為係統的先進性（xìng）和可靠性提供保障，因此薄膜作為基礎材料支撐，其性能、製備工藝（yì）以（yǐ）及穩定性具有重要的基礎研究意義。

  薄膜材料具備特殊形態，屬於低（dī）維材料(二維)，采用特殊工藝方法(與塊體區別明顯)，在襯底表麵沉積或（huò）凝結特殊物質層。厚度一般在納米(薄膜)至幾微（wēi）米(厚膜)範圍。在（zài）納米範圍內，一（yī）般就是數原子層或者數百個原子層的厚度，在如此厚度範圍內（nèi），薄膜會顯示出“厚度尺寸效應”，與塊體材料相比較而（ér）言，性能差異明顯。原因為薄膜的處理工藝，更（gèng）容易使物相組成與（yǔ）微結構形成非晶狀態、細化的晶粒、亞穩態、化學計量比的偏離、特殊（shū）的材料表麵能態等現象。薄膜在襯底上（shàng）生長（zhǎng），主（zhǔ）要是各種粒子的相互作用結果，例如原子，原子核，電子之間的相（xiàng）互作用。其宏觀表現為材料發生化學或物理反應，具有一定（dìng）的結構形態。在（zài）薄膜的（de）生長（zhǎng）過程中，薄膜與襯底的浸潤性，晶格的匹配與失配（pèi），熱膨脹係數的差異，粗糙（cāo）度，都會對性（xìng）能產生影響，生長模式，成核過程（chéng）都具有重要研究意義。

  高質量的薄膜是（shì）薄膜器件設計（jì）和應用的基礎（chǔ），然而薄膜的質量很大程度上取（qǔ）決於製備技術和製備工藝條件參數，製備技術主要（yào）分為物理方法和化學方法。功能薄膜的（de）種類一般按照電、磁、聲、光、力（lì）、熱、生物及化學等功能特性劃分。也可按照屬性類別分為金屬薄膜，氧化物薄膜，氮化（huà）物薄膜，碳化物薄（báo）膜，合金薄膜等。最近幾十年，薄膜製（zhì）備與（yǔ）器件設計不斷取得（dé）新進展，而且對功（gōng）能薄膜材料的研究已吸引眾多科研工作者的興趣。各種薄膜的（de）性能和用途各不相同（tóng），應（yīng）根據物理化學（xué）性能（néng）和實際應用（yòng）選擇（zé）合（hé）適（shì）的薄膜。