提出對納米雜化聚酰（xiān）亞胺薄膜進行電暈預處理，並對電暈預處（chù）理後的試樣進（jìn）行耐電暈及TSDC測（cè）試，比較結果可得到（dào）以（yǐ）下結論：

1)在適當的電（diàn）暈預處理條件下（xià），納米雜化聚酰亞胺薄膜（mó）的耐電暈壽命會得到一定程度的提高（gāo）。

2)納米雜化聚酰亞（yà）胺薄膜中受陷（xiàn）電（diàn）荷的能級狀態隨電暈預處理（lǐ）過程發生變（biàn）化，隨著電暈預處理時間的增加，受陷電荷會在交變電場的作用下遷移擴散，逐漸（jiàn）深入材料（liào）內部形成（chéng）能級較深的受陷狀態，並在電暈預處理時間增加到一（yī）定長度時達到平衡。

3)納米雜化聚酰亞胺薄膜的耐電暈壽命與薄膜中載流子的受陷狀態有關，當材料中均勻分布能級較深的穩定的載流子陷阱時，材料表現出較好的耐電暈性能（néng）。通過研究受陷空間電荷與材料耐電暈壽命之間的關係，可以從電介質材料的化學、物理結構的角度對材料進行優化，為進一步提高其（qí）耐電暈壽命（mìng）提供理論依據和實驗（yàn）、檢驗手段。