此類材料中的無機物包括SiO2、分子篩、粘土和陶瓷等。采用原位聚合法將納（nà）米SiO2添到ODA、PMDA的反應體係中，合成出PI/SiO2複合材料。然後用HF 刻蝕（shí）SiO2納米粒子，引入納（nà）米微孔，形成含有微孔的PI 薄膜。研究發現，當造孔（kǒng）劑（jì）含量為（wéi）15%時，薄膜（mó）的介電常數從純PI 的3.54 降低至（zhì）3.05。

目前將介孔氧化矽或POSS的孔洞結構引入聚酰亞胺體（tǐ）係製備低介電複合材料（liào）已成為新的研究熱點。利（lì）用原位分散聚（jù）合法製備了含有7% SBA-16 和3% SBA-15 的介孔SiO2分子篩的PI 複合（hé）材料（liào），其介電常數分別為2.61 和2.73，其力（lì）學性（xìng）能和熱穩定性也得到不同程度（dù）的提（tí）高。研究了3-氨丙基（jī）-三甲氧基矽烷(ATS)改性的SBA-15 對PI 薄膜性能的影響。研究表明，ATS改（gǎi）性的SBA-15 既能提（tí）高PI 薄膜的拉伸（shēn）強度、斷裂伸長率和熱穩定性，又能明顯降低PI薄膜的介電常數。與純PI 相（xiàng）比（bǐ），含3%SBA-15 的（de）PI 薄膜CTE降低了（le）25%，含10%SBA-15 的PI 薄膜的介電常數可降至2.6。M H Tsai 等[20]利用溶膠-凝膠法將POSS的孔洞結構引入到PI 中製得PI/SiO2複合材料，其介電常數和CTE均很低。

利用插層法製（zhì）備了PI/粘土納米薄膜，在130 ℃下其介電常（cháng）數小於2.75，介質損耗因數為0.005。李廣等（děng）[22]利用原位聚合法（fǎ）製備（bèi）了AlN 摻雜的PI 薄（báo）膜，AlN 的摻雜提高了薄膜（mó）的介電性能。

目前，PI-無機物（納米）雜化塗層膠還處於（yú）研究階段，尚未商品化。其存在的問題是無機粒子的含量（liàng）不（bú）高，且粒子（zǐ）易沉積團聚，兩相界麵的相容（róng）性不好等。研究有機-無機相的相容性，將無機納米粒子均（jun1）勻的分散到高粘度（dù）的PI 基體中，是目前開（kāi）發納米雜化PI 材料需要（yào）解決的首要問題。