聚酰亞胺的介電常數（shù）￡為3～3．5，對溫度或頻率的依賴性很小。在室溫時體積電阻率為10¹³～10¹⁷Ω·m，而在200℃時為10¹²Ω·m，在200℃以上時，溫度對薄膜的（de）體積電阻率的影響不大。對於介電損（sǔn）耗角正切，改變聚酰亞胺鏈的（de）結構，在室溫下tan8實（shí）際上是不變化的，其數值為(1～1．5)×10^-3。

  聚酰亞胺的（de）介電（diàn）損耗主要是由於亞胺環的極性基團C—O而引起的，這種極性基團的位置是對稱的，而且都位於（yú）環上，其極性的活動受到了限製，而叔胺的氮原子的3個鍵都是C—N鍵。所以是趨向於極性抵消（xiāo）。因此聚酰亞胺的介電損耗角正切較低。

  聚酰（xiān）亞胺有很好的耐電暈（yūn）性，它比聚酰胺酰（xiān）亞胺和聚（jù）有機矽氧烷要好，一般電暈老化取決於兩個化學反應：①由於活性氧的氧化（huà）分解；②臭氧（yǎng）、氮氧化物的氧化反應（yīng）。而亞（yà）胺結構和芳（fāng）香族對於這些反應的抵抗性大，也（yě）有人提出在聚酰亞胺中加入四苯基（jī）鉛和四苯（běn）基砷（shēn）等有機化合物可提（tí）高耐電暈性。

  聚酰亞胺（àn）的耐（nài）電弧性不好，這是芳香族聚合物的共同（tóng）缺點，這方麵是和聚酰亞胺分子真空分解而導致成（chéng）為半導體性的聚（jù）合物的傾向（xiàng）是一致的。