聚酰亞（yà）胺材料的耐（nài）熱性能和力（lì）學性能與它的化學（xué）結構（gòu）、組成和使用溫度及環境有關，近（jìn）幾年來在航天、航空、電子等諸多領域中得到了廣泛的應用。隨著對傳統聚酰亞胺改性工作（zuò）的不斷深入以及（jí）許多新興技術（shù）和產業的不斷湧現與發展，聚酰亞胺材料的研究（jiū）成為一個熱點領域。

  在聚酰亞胺材料的（de）所有應用領域（yù）中，微電子工業成為**的受益者，聚酰亞胺在這一領域中（zhōng）的廣泛應用無疑是最為成功的一例，這在很大程度上得益於聚酰亞胺材料優良的綜合性（xìng）能。微電子工業對於所用材料（liào）的性能要求是非常苛刻的，例如半導體芯片的鈍化層要求材料首先是優良的電絕緣體，此外還要求（qiú）材料與基材具有（yǒu）良好（hǎo）的粘附性，並且可以屏障那些可能對層下元器件造成損傷的化學粒子。再如電子封裝過程中需要一個400℃的金屬熔結工藝，因此要求所用絕緣材料必須經受這樣的高溫而（ér）不至於引起電、化學及機械性能的降解。電子封（fēng）裝還要求（qiú）材料具有盡量小的吸濕性、熱膨脹係數(CTE)應盡（jìn）量與基材相匹配、尺寸穩定性好等。

  聚（jù）酰亞（yà）胺材料在很多方麵可以滿足這些特殊的性能要求。這（zhè）主要是因為（wéi）：首先，聚酰亞胺剛性或半（bàn）剛（gāng）性（xìng）的骨架結構賦（fù）予了這類材料優良的耐高溫性能，熱失重分析表明，一般（bān）聚酰亞（yà）胺的熱分解溫度都在500℃左右，而玻璃化轉變溫度則在300℃左（zuǒ）右，這樣的耐高（gāo）溫性能完（wán）全可以（yǐ）滿足集成電路裝配的（de）需要；其次，聚酰亞胺（àn）的介（jiè）電性能優異，介電常數（shù）為3.0—3.4，介電損耗在10^-3~10^-4，如果加以特殊處理，例如在（zài）聚酰亞胺的主鏈結構（gòu）中引入氟或將空氣（qì）以納（nà）米尺寸分散在聚酰亞（yà）胺（àn）中，其介電常數還可以降得更低。聚酰（xiān）亞胺材料的表麵電阻（zǔ）、體積電阻一般可以達（dá）到10¹⁵Ω和10¹⁶Ω·cm數量級，如此（cǐ）優良的介電和絕（jué）緣性能使得聚酰亞胺材料可以滿足（zú）集成電路裝配的絕大多數要求。最（zuì）後，聚酰亞胺材料骨架的剛性（xìng）及半剛性結構還賦（fù）予它較低的（de）熱膨脹係數。

  因此，聚酰亞（yà）胺是一類（lèi）綜（zōng）合性能優異的高分子材料，由於其結構所具有的（de）多（duō）樣性及可控性，可以根據集成電路生產工藝的不同要求對所（suǒ）使用的聚酰亞胺材（cái）料進行性能調控，以滿足微電子（zǐ）工（gōng）業中不同應（yīng）用領域的需（xū）求。