(1)a射線（xiàn）的屏蔽在大規模集成的（de）存儲器  如隨（suí）機存儲器(RAM)中，集（jí）成電路的芯片是封裝在陶瓷材料中的，業已觀察到在這種封裝材（cái）料中有微量的鈾等放射性雜質，由此產生一（yī）定量的a射（shè）線，對於4K位存儲器影響不大，否則（zé）a射線引起的軟損傷就不可忽略（luè），此（cǐ）時需（xū）在封裝前塗上（shàng）一層50～100／-m厚的PSPI膜，光刻成圖像後進行亞胺化，PI膜便起到（dào）屏蔽的功能。

(2)集成電路中多層布線的絕（jué）緣層  聚酰亞胺是優良的（de）電絕緣材料，利用PSPI光刻膠，在芯片中作為（wéi）多層布（bù）線的層間絕緣是很有價值的技術。

(3)平坦化作用（yòng）  在集成電（diàn）路製造工藝中（zhōng），經過形（xíng）成介電層和導電層的工序後，襯底的形貌發生很大的變化，表麵高低不平，給（gěi）後麵的工序(如光（guāng）刻、布線)帶來問題。為此可采用PSPI光刻膠對加工表（biǎo）麵進行平坦化處理，平坦化層可以起到介（jiè）電層作用。

(4)緩衝作用  在芯片與（yǔ）塑（sù）料封之間增加一層聚酰亞（yà）胺膜作為緩衝層，可減（jiǎn）少器（qì）件組裝過程中因（yīn）材料膨脹（zhàng）係數的差別引（yǐn）起的熱應力（lì），從而可提高器件的可靠性。

(5)用PSPI製作掩膜用  聚酰亞胺具有（yǒu）優良的耐熱性與化學（xué）穩定性，因此，由（yóu）PSPI光刻膠製成PI掩（yǎn）膜，可（kě）在普通光刻膠（jiāo）不能勝任的環境中實施微細加工，如離子注入、幹法刻蝕、電鍍或焊接等的掩（yǎn）膜。

除上（shàng）述以外，PSPI還可用在電光器（qì）件（jiàn）、液晶顯示器件的定向層等方麵。