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聚酰亞(yà)胺材料的閃絡(luò)特性
日期:2019-09-21  人氣:360

  聚酰亞胺是一種優異的(de)電氣絕緣材料,有良(liáng)好(hǎo)的高低溫耐受特(tè)性,耐受輻照、電暈,抗老化特性好,因此廣泛地應用(yòng)於(yú)航空航天領域。目前,地麵環境中的介質閃絡研究著重於絕緣子閃絡(luò),研究不同電極(jí)形狀、電壓類型、不同(tóng)氣體環境等條件下的閃絡特性,針對航天器表麵的(de)聚酰亞胺材料閃絡的公開研究成果較少。在已有(yǒu)文獻中(zhōng),基於二次電子發射雪崩( Secondary Electron Emission Avalanche, SEEA)模型研究了氣體解吸附、改性以及電子輻照(zhào)等因(yīn)素(sù)對閃絡(luò)的影響機製,但是對於ZnO改性對閃絡影響的機理解釋較少,對影響材料閃絡特性最重要的表麵狀態沒有深入的研究。

  含有微米ZnO 的複合試樣深陷阱密度要大(dà)於納米(mǐ)改性聚酰亞胺,但其(qí)耐閃絡電壓特性低於納米改性聚酰亞胺。這是因為微米顆粒體積較大,與基體聚酰亞胺樹脂結合時在界麵處易產生宏觀性缺陷,容易引發薄弱區域的局部放電;再考慮到改(gǎi)性劑分散的不均勻性更容(róng)易(yì)導致顆粒附近電場強度產(chǎn)生畸變,容易導致材料的局部放電使得閃絡電壓降低。

  基於真(zhēn)空沿麵(miàn)閃絡(luò)測試係統(tǒng),重點研(yán)究了純聚(jù)酰亞胺、ZnO 改性聚酰亞胺(àn)以及表麵氟(fú)化聚酰亞胺試樣的直流閃絡特性。以二次電子雪崩模型為基礎,揭示了材料表麵穩定性對閃絡發展的影響與抑製(zhì)真空下聚酰亞胺直流沿麵閃(shǎn)絡特性的(de)方法。

1)微(wēi)米與納米改性整體提高了聚酰亞胺複合材料沿麵閃絡電壓,並且3wt%改性樣(yàng)品閃絡電壓提升**。聚酰亞胺基體樹脂添(tiān)加ZnO 粒子(zǐ)後,增強了材料內陷阱(jǐng)對電荷移動(dòng)的限製作用(yòng),同時抑製了氣體解吸附和脫氣量、降低了(le)二次電子發射係數,因而整體上提高了材料表麵穩定性,閃絡電(diàn)壓隨之上升。

2)表麵氟化顯著地提高了聚酰亞胺沿麵閃絡電壓(yā)。氟化後(hòu)能極大抑製閃絡中二次電子發展,表麵氟化層較高的電負性是氟化聚酰(xiān)亞胺閃絡電壓(yā)上升的關鍵(jiàn)。

3ZnO 改性和氟化(huà)改性都會降低材料電荷(hé)的積累,提高材料表麵穩定(dìng)性,從而提高閃絡電壓。


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